法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム(2013年度)

第32回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム

主催:法政大学イオンビーム工学研究所 場所:法政大学 小金井キャンパス 西館地下1階マルチメディアホール 2013年12月4日


1. 特別講演Ⅰ:田沼 千秋 (法政大学大学院理工学研究科)
「インクジェットの高性能化と先端応用技術」
2. ショート講演1:鳥山 保 (東京都市大学大学院エネルギー化学専攻)
「固体高分子型燃料電池排出物中の不純物原子分析用に滴下・乾燥法で作製した試料におけるカリウム原子のラザフォード後方散乱分光(RBS)スペクトル」
3. ショート講演2:早瀬 和哉 (東京理科大学)
「表面光吸収法を用いた酸素の寄与による光電子放出における負の電子親和力表面のその場観察」
4. ショート講演3:坂本 勲 (法政大学)
「ZnO(Fe)/ZnO多層膜の構造解析」
5. ショート講演4:葛西 駿 (法政大学)
「p-GaN基板上MISFETの窒素イオン注入による素子分離」
6. ショート講演5:及川 拓弥 (法政大学理工学研究科)
「GaN基板へのMgイオン注入の基礎検討」
7. ショート講演6:原 健太 (法政大学大学院理工学研究科)
「スパッタ法により形成した酸素導入Al添加CeO2薄膜の結晶性評価」
8. ショート講演7:甲斐田 卓也 (法政大学)
「核反応分析と電子スピン共鳴分析による水素イオン注入ZnOバルク単結晶の酸素格子変位の評価」
9. ショート講演8:上岡 一馬 (法政大学)
「Sイオン注入ZnOエピタキシャル膜単結晶の低抵抗化の起源」
10. ショート講演9:中村 司 (法政大学)
「ラザフォード後方散乱法による中性子転換注入GaNの格子変位の評価」
11. ショート講演10:野谷 祐貴 (法政大学大学院理工学研究科)
「O2導入Arスパッタ法により形成したAl添加CeO2薄膜の電気特性評価」
12. ショート講演11:小川 弘貴 (法政大学)
「自立GaN基板上の自己整合型イオン注入ノーマリーオフMISFET」
13. ショート講演12:中山 大志 (法政大学)
「Si基板上ペンタセン薄膜の弾性反跳散乱分析法による水素分布の評価」
14. 特別講演Ⅱ:北村 正治 (元宇宙航空研究開発機構)
「イオンビーム照射による大型静止デブリの除去」
15. 特別講演Ⅲ:世良 耕一郎 (岩手医科大学医歯薬総合研究所 高エネルギー医学研究部門(サイクロトロンセンター))
「PIXEを用いた医学生物学・地球環境科学・農学研究」