法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム(2017年度)

第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム

主催:法政大学イオンビーム工学研究所
場所:法政大学 小金井キャンパス 西館地下1階マルチメディアホール
日時:2017年12月13日(水)


1. ショート講演1:稲垣 雄大 (東京理科大学)
「NEA-GaAs表面の熱処理による電子放出効率の変化及び新たなNEA活性化手法の探索」
2. ショート講演2:福添 竜太朗 (東京理科大学)
「STMによるNEA-GaAs表面観察のためのエッチングによる表面処理」
3. ショート講演3:望月 和浩 (産業技術総合研究所)
「4H-SiC方向AIイオン注入における射影飛程及びチャネリング深さの注入エネルギー依存性比較」
4. ショート講演4:中村 智宣 (株式会社 新川)
「3次元実装工法と高速・高精度フリップチップボンダ」
5. ショート講演5:坂本 宏基 (東京都市大学)
「ガラス・ビューアとデジカメを使った20keVH-イオンのビーム観察とそのImageJによる解析」
6. 招待講演1:乙木 洋平 (株式会社 サイオクス)
「電子デバイス用GaN基板・エビウエハの現状と課題-工業化の視点から-」
7. 招待講演2:中村 栄三 (岡山大学惑星物質研究所)
「地球惑星物質総合解析システム(CASTEM)の構築と応用」
8. 招待講演3:伊藤 智徳(三重大学)
「計算科学で識る分子線エピタキシャル成長:表面、界面、成長」
9. ショート講演6:小野澤 敬浩(工学院大学)
「含水状態の単一細胞のSIMS分析に向けた手法開発」
10. ショート講演7:小出 浩貴 (工学院大学)
「TOF-SIMSを用いた含水植物中セシウムのイメージング」
11. ショート講演8:是枝 晴華 (工学院大学)
「大気圧下におけるエレクトロスプレーイオン源の開発」